SBAS16WT1G

onsemi

SBAS16WT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 75V 200MA SC70-3

AktivSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerSBAS16
Capacitance @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)6 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 150 mA
Current - Average Rectified (Io)200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 75 V
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäuseSC-70-3 (SOT323)

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C