RFP4N100

onsemi

RFP4N100

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Basis-TeilenummerRFP4N
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 20 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220-3