RFP30P06

onsemi

RFP30P06

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 60V 30A TO220-3

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 30A, 10V
Basis-TeilenummerRFP30
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220-3