RFD16N06LESM9A

onsemi

RFD16N06LESM9A

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhm @ 16A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+10V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Max. Verlustleistung90W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)