Allgemein
| Ausgangskonfiguration | Phototransistor |
|---|---|
| Basis-Teilenummer | QVE112 |
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Sensing Distance | 0.150" (3.81mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| Typ | Unamplified |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | Module, PC Pins, Slot Type |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
|---|