Allgemein
| Ausgangskonfiguration | Phototransistor |
|---|---|
| Basis-Teilenummer | QVE000 |
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Response Time | 8µs, 50µs |
| Sensing Distance | 0.095" (2.41mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| Typ | Unamplified |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Ausgangskonfiguration | Phototransistor |
|---|---|
| Basis-Teilenummer | QVE000 |
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Response Time | 8µs, 50µs |
| Sensing Distance | 0.095" (2.41mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| Typ | Unamplified |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | Module, Pre-Wired |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
|---|