Allgemein
| Ausgangstyp | Phototransistor |
|---|---|
| Basis-Teilenummer | QRE111 |
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Response Time | 20µs, 20µs |
| Sensing Distance | 0.039" (1mm) |
| Sensing Method | Reflective |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 4-DIP (0.157", 4.00mm) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C~85°C |
|---|