Allgemein
| Gate Charge | 80 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Field Stop |
| Eingangstyp | Standard |
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Gate Charge | 80 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Field Stop |
| Eingangstyp | Standard |
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Hersteller-Gehäuse | Wafer |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
|---|