Allgemein
| Basis-Teilenummer | NZT660 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 300mA, 3A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 500mA, 2V |
| Power - Max | 2 W |
| Frequency - Transition | 75MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Hersteller-Gehäuse | SOT-223-4 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|