NXV08H350XT1

onsemi

NXV08H350XT1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 80V APM17-MDC

Aktiv17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.762mOhm @ 160A, 12V
Basis-TeilenummerNXV08
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs320nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds24350pF @ 40V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.6V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80V

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Hersteller-GehäuseAPM17-MDC

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
QualificationAEC-Q101