NXH80T120L3Q0S3G

onsemi

NXH80T120L3Q0S3G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

KonfigurationHalf Bridge
IGBT TypeTrench Field Stop
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce18.15 nF @ 20 V
Herstelleronsemi
MontageartChassis Mount
NTC ThermistorYes
Product StatusActive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 80A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)75 A
Current - Collector Cutoff (Max)300 µA
Power - Max188 W

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseModule
Hersteller-Gehäuse20-PIM/Q0PACK (55x32.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)