NXH50M65L4Q1SG

onsemi

NXH50M65L4Q1SG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

Q1PACK 50A 650V

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

KonfigurationFull Bridge
IGBT TypeTrench Field Stop
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce3.137 nF @ 20 V
Herstelleronsemi
MontageartChassis Mount
NTC ThermistorYes
Product StatusActive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.22V @ 15V, 50A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)48 A
Current - Collector Cutoff (Max)300 µA
Power - Max86 W

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseModule
Hersteller-Gehäuse56-PIM (93x47)

Umwelt

Betriebstemperatur175°C (TJ)