NXH200T120H3Q2F2SG

onsemi

NXH200T120H3Q2F2SG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

KonfigurationHalf Bridge
IGBT TypeTrench Field Stop
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce35.615 nF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartChassis Mount
NTC ThermistorNo
Product StatusActive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 200A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)330 A
Current - Collector Cutoff (Max)500 µA
Power - Max679 W

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseModule
Hersteller-Gehäuse56-PIM/Q2PACK (93x47)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)