NXH020F120MNF1PTG

onsemi

NXH020F120MNF1PTG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SIC 4N-CH 1200V 51A 22PIM

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 50A, 20V
Basis-TeilenummerNXH020
Konfiguration4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs213.5nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2420pF @ 800V
Herstelleronsemi
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 20mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C51A (Tc)
Power - Max119W (Tj)

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseModule
Hersteller-Gehäuse22-PIM (33.8x42.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)