NXH010P90MNF1PG

onsemi

NXH010P90MNF1PG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SIC 2N-CH 900V 154A

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 100A, 15V
Basis-TeilenummerNXH010
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Source
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs546.4nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7007pF @ 450V
Herstelleronsemi
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 40mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C154A (Tc)
Power - Max328W (Tj)

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseModule

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)