NVTYS029N08HTWG

onsemi

NVTYS029N08HTWG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

T8 80V N-CH SG IN LFPAK33

AktivSOT-1205, 8-LFPAK56Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs32.4mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds369 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 20µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.4A (Ta), 21A (Tc)
Max. Verlustleistung3.1W (Ta), 33W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
Hersteller-Gehäuse8-LFPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)