NVTR01P02LT1G

onsemi

NVTR01P02LT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 750mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 5 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A (Ta)
Max. Verlustleistung400mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3 (TO-236)