NVTFWS8D1N08HTAG

onsemi

NVTFWS8D1N08HTAG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

80V T8 IN U8FL HEFET PACK

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.3mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 270µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 61A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 75W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-WDFNW (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)