NVTFWS015N04CTAG

onsemi

NVTFWS015N04CTAG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.3mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds325 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 20µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.4A (Ta), 27A (Tc)
Max. Verlustleistung2.9W (Ta), 23W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101