NVTFS9D6P04M8L

onsemi

NVTFS9D6P04M8L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 8-SOIC

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2312 pF @ 20 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 580µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 64A (Tc)
Max. Verlustleistung3.2W (Ta), 75W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101