NVTFS6H888NLTAG

onsemi

NVTFS6H888NLTAG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds258 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 15µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A (Ta), 14A (Tc)
Max. Verlustleistung2.9W (Ta), 23W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-WDFN (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)