NVTFS4C08NWFTAG

onsemi

NVTFS4C08NWFTAG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN

Abgekündigt8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1113 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta)
Max. Verlustleistung3.1W (Ta), 31W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101