NVTFS010N10MCLTAG

onsemi

NVTFS010N10MCLTAG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.6mOhm @ 15A, 10V
Basis-TeilenummerNVTFS010
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2150 pF @ 50 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 85µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Max. Verlustleistung3.2W (Ta), 77.8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-WDFN (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)