NVR5198NLT3G

onsemi

NVR5198NLT3G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3

AbgekündigtTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds182 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A (Ta)
Max. Verlustleistung900mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3 (TO-236)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)