NVR5124PLT1G

onsemi

NVR5124PLT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 3A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds240 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A (Ta)
Max. Verlustleistung470mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101