NVMYS6D2N06CLTWG

onsemi

NVMYS6D2N06CLTWG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK

AktivSOT-1023, 4-LFPAKAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.1mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 53µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 71A (Tc)
Max. Verlustleistung3.6W (Ta), 61W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseLFPAK4 (5x6)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101