NVMYS029N08LHTWG

onsemi

NVMYS029N08LHTWG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

T8 80V LL LFPAK

AktivSOT-1023, 4-LFPAKAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds431 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 20µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Ta), 22A (Tc)
Max. Verlustleistung3.5W (Ta), 33W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK
Hersteller-GehäuseLFPAK4 (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)