NVMTS4D3N15MC

onsemi

NVMTS4D3N15MC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.45mOhm @ 95A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6514 pF @ 75 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 521µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta), 165A (Tc)
Max. Verlustleistung5W (Ta), 292W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101