NVMTS1D5N08H

onsemi

NVMTS1D5N08H

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 38A/273A 8DFNW

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 90A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8220 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 490µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Ta), 273A (Tc)
Max. Verlustleistung5W (Ta), 258W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFNW (8.3x8.4)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)