NVMTS1D2N08H

onsemi

NVMTS1D2N08H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1mOhm @ 90A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10100 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 590µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C43.5A (Ta), 337A (Tc)
Max. Verlustleistung5W (Ta), 300W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101