NVMTS0D7N06CLTXG

onsemi

NVMTS0D7N06CLTXG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

AFSM T6 60V LL NCH

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.68mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16200 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C62.2A (Ta), 477A (Tc)
Max. Verlustleistung5W (Ta), 294.6W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101