NVMTS0D7N04CLTXG

onsemi

NVMTS0D7N04CLTXG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

AFSM T6 40V LL NCH

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.63mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12238 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C67A (Ta), 433A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 205W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFNW (8.3x8.4)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)