NVMJS2D5N06CLTWG

onsemi

NVMJS2D5N06CLTWG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK

AktivSOT-1205, 8-LFPAK56Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3600 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 135µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Ta), 164A (Tc)
Max. Verlustleistung3.9W (Ta), 113W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
Hersteller-Gehäuse8-LFPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)