NVMJS0D9N04CTWG

onsemi

NVMJS0D9N04CTWG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 52A/342A 8LFPAK

AktivSOT-1205, 8-LFPAK56Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.81mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7400 pF @ 20 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C52A (Ta), 342A (Tc)
Max. Verlustleistung4.2W (Ta), 180W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
Hersteller-Gehäuse8-LFPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)