NVMFWS0D7N04XMT1G

onsemi

NVMFWS0D7N04XMT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

40V T10M IN S08FL PACKAGE

Aktiv8-PowerTDFN, 5 LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.7mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs74.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4657 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 180µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C331A (Tc)
Max. Verlustleistung134W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Hersteller-Gehäuse5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)