NVMFWS021N10MCLT1G

onsemi

NVMFWS021N10MCLT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

PTNG 100V LL SO8FL

Aktiv8-PowerTDFN, 5 LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds850 pF @ 50 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 42µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.4A (Ta), 31A (Tc)
Max. Verlustleistung3.6W (Ta), 49W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Hersteller-Gehäuse5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)