NVMFWS005N10MCLT1G

onsemi

NVMFWS005N10MCLT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

PTNG 100V LL SO8FL

Aktiv8-PowerTDFN, 5 LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.1mOhm @ 34A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4100 pF @ 50 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 192µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18.4A (Ta), 108A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 131W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101