NVMFS6H864NWFT1G

onsemi

NVMFS6H864NWFT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN

Aktiv8-PowerTDFN, 5 LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds370 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 20µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.7A (Ta), 21A (Tc)
Max. Verlustleistung3.5W (Ta), 33W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Hersteller-Gehäuse5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)