NVMFS5H610NLT1G

onsemi

NVMFS5H610NLT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

T8 60V LOW COSS

Abgekündigt8-PowerTDFN, 5 LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds880 pF @ 30 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 40µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 48A (Tc)
Max. Verlustleistung3.6W (Tc), 52W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101