NVMFS4C308NWFT1G

onsemi

NVMFS4C308NWFT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH 30V NCH

Aktiv8-PowerTDFN, 5 LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1670 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17.2A (Ta), 55A (Tc)
Max. Verlustleistung3W (Ta), 30.6W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Hersteller-Gehäuse5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)