NVMFS4C05NT3G

onsemi

NVMFS4C05NT3G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN

Abgekündigt8-PowerTDFN, 5 LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1972 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24.7A (Ta), 116A (Tc)
Max. Verlustleistung3.61W (Ta), 79W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Hersteller-Gehäuse5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)