NVMFS4C01NT3G

onsemi

NVMFS4C01NT3G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN

Abgekündigt8-PowerTDFN, 5 LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.9mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10144 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C49A (Ta), 319A (Tc)
Max. Verlustleistung3.84W (Ta), 161W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101