NVMFD6H852NLT1G

onsemi

NVMFD6H852NLT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25.5mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerNVMFD6
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds521 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 26µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Ta), 25A (Tc)
Max. Verlustleistung3.2W (Ta), 38W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)