NVMFD6H840NLWFT1G

onsemi

NVMFD6H840NLWFT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 80V 14A/74A 8DFN

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.9mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerNVMFD6
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2002pF @ 40V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 96µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 74A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101