NVMFD5C478NT1G

onsemi

NVMFD5C478NT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 40V 9.8A/27A 8DFN

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 7.5A, 10V
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds325pF @ 25V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 20µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.8A (Ta), 27A (Tc)
Power - Max3.1W (Ta), 23W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101