NVLJWD040N06CLTAG

onsemi

NVLJWD040N06CLTAG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW

Aktiv6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 5A, 10V
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds340pF @ 25V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 13µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta), 18A (Tc)
Power - Max2.2W (Ta), 24W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-WDFNW (2.2x2.3)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101