NVLJS053N12MCLTAG

onsemi

NVLJS053N12MCLTAG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 5.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds520 pF @ 60 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSuperFET® III, FRFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 30µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.8A (Ta)
Max. Verlustleistung620mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-UDFN (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)