NVHL110N65S3F

onsemi

NVHL110N65S3F

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2560 pF @ 400 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieSuperFET® III, FRFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 3mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Max. Verlustleistung240W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101