NVHL050N65S3HF

onsemi

NVHL050N65S3HF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 29A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4880 pF @ 400 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, SuperFET® III
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1.7mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Tc)
Max. Verlustleistung403W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)