NVH4L040N65S3F

onsemi

NVH4L040N65S3F

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4

AktivTO-247-4Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 32.5A, 10V
Basis-TeilenummerNVH4L040
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5665 pF @ 400 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
Max. Verlustleistung446W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-4
Hersteller-GehäuseTO-247-4L

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)